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如何看待臺積電5nm和7nm的營收下降?

發(fā)布時間:2023-07-23 09:43   來源:TechWeb   閱讀量:13347   

他認為,2022年第二季度,全球智能手機出貨量下降至2.87億部,這是自2020年第二季度疫情首次爆發(fā)以來的最低季度數(shù)據(jù)。

2023年第二季度,全球個人電腦市場的下滑趨勢有所減緩,臺式機和筆記本電腦的總出貨量同比下降11.5%,達到6210萬臺。在此之前,出貨量連續(xù)兩個季度下降超過30%。然而,第二季度的出貨量環(huán)比增長了11.9%。

然而,臺積電的技術實力正在緩解終端市場需求的下降和整體經(jīng)濟低迷帶來的影響。在7 nm以下節(jié)點,臺積電的市場份額達到了近90%。該公司將近90%的3nm晶圓產(chǎn)能供應給了蘋果公司。

據(jù)報道,到2023年底,3nm晶圓的產(chǎn)量將達到每月10萬片。

臺積電2023年的收入分析:

“由于宏觀經(jīng)濟疲軟和終端市場需求不振,我們的第一季度營收環(huán)比下降18.7%或16.1%(以美元計),這導致客戶相應地調(diào)整了需求。預計第二季度的業(yè)務將繼續(xù)受到客戶進一步調(diào)整庫存的影響。根據(jù)當前的業(yè)務前景,我們預計第二季度的營收將在152億美元到160億美元之間,即在這個中間值附近,環(huán)比下降為6.7%。進入2023年第二季度,我們預計我們的業(yè)務將繼續(xù)受到客戶庫存調(diào)整的影響?,F(xiàn)在我們預計2023年上半年的營收以美元計將比去年同期下降約10%,而之前預計的下降幅度為中高個位數(shù)百分比?!?/p>

基于合并計算,2023年6月的營收約為1564億元新臺幣,環(huán)比5月下降11.4%,同比2022年6月下降11.1%。2023年1月至6月的營收總額為9894.7億元新臺幣(約合315.1億美元),與2022年同期相比下降3.5%。

表格1顯示了實際的第二季度營收數(shù)據(jù),環(huán)比下降5.5%(以新臺幣計)或8.0%(以美元計)。因此,營收增長1.3%,超過了預計的-6.7%(以美元計)。

2023年上半年,營收為9894.74億元新臺幣,較去年同期的10252.16億元新臺幣下降3.5%,以美元計下降6.0%。因此,營收增長4%,超過了預計的-10%。

下圖顯示了2022年1月至2023年6月每個季度的總營收增長情況,同時還顯示了營收環(huán)比變化(橙色線條)。

如上所述,在7 nm以下節(jié)點,臺積電享有主導地位,這為他們帶來了一個優(yōu)勢,即隨著節(jié)點減少,晶圓價格會更高。根據(jù)《全球半導體設備:市場、市場份額和市場預測》的數(shù)據(jù),晶圓的價格如下:

7nm晶圓價格為9000美元,3nm晶圓價格為18000美元。

65nm晶圓價格為5000美元,16nm晶圓價格為8000美元。

這些較高的價格在很大程度上緩解了宏觀經(jīng)濟狀況的疲軟和終端市場需求的下降,尤其是在消費電子產(chǎn)品領域。

“對于2023年的整個年度,我們預計半導體市場的下降幅度將在中個位數(shù)百分比范圍內(nèi),而代工行業(yè)將下降高個位數(shù)百分比。目前,我們預計2023年全年的營收以美元計將下降低至中個位數(shù)百分比,而我們的業(yè)務將比半導體(存儲器除外)和代工行業(yè)表現(xiàn)更好,得益于我們強大的技術領導地位和差異化優(yōu)勢?!?/p>

重要的是,由于2023年上半年的營收增長比臺積電在2023年第一季度給出的預測高4%,并且當時預測2023年全年會下降至中個位數(shù)百分比,因此我預計其年同比營收可能保持平穩(wěn),而非下降。

按節(jié)點劃分的臺積電營收情況

截至2023年第一季度,臺積電的營收尚未包括N3工藝的數(shù)據(jù),如表所示。

對于已經(jīng)產(chǎn)生收入的產(chǎn)品,表2顯示了臺積電在7 nm和5 nm工藝節(jié)點上的營收情況,其中7nm工藝用于英偉達的A100芯片,而5nm工藝用于H100芯片。盡管預計7nm工藝的營收會下降,但5nm工藝在2022年第3季度和2023年第1季度之間的突然增長可能是由于芯片供應過剩和客戶存貨天數(shù)較長所致。

但需要記住的是,英偉達主要由一家供應商臺積電供應,而臺積電為500多家客戶生產(chǎn)了近1.3萬種不同的芯片。

在5 nm工藝節(jié)點上,蘋果是臺積電最大的客戶,占據(jù)約50%的份額,緊隨其后的是高通占25%,英偉達、AMD和其他客戶占剩余份額。

在7nm工藝節(jié)點上,AMD、英偉達(20%)、高通(10%)和聯(lián)發(fā)科(Mediatek,10%)都是臺積電最重要的7nm工藝客戶。

因此,5 nm和7 nm工藝的營收下降是因為客戶營收下滑、庫存較高以及芯片采購放緩。例如,上個季度蘋果的營收下降了19%,而高通的庫存天數(shù)增加到了151天,而英偉達的庫存天數(shù)為175天,但較上個季度的200天有所下降。

臺積電計劃在2025年開始大規(guī)模生產(chǎn)其最小的2nm芯片,而英特爾則計劃在2024年實現(xiàn)其2nm工藝節(jié)點,三星則計劃在2025年達到這一里程碑。

人工智能收入

隨著人工智能不斷重塑全球范圍內(nèi)的各行業(yè),臺積電認識到該技術的重要性,并積極參與其發(fā)展。公司先進的半導體制造工藝對于生產(chǎn)人工智能專用芯片至關重要。臺積電的尖端制造技術可以打造出專用處理器,包括圖形處理器和人工智能加速器,這些處理器對于深度學習和其他人工智能應用至關重要。

臺積電與專注于人工智能的公司合作取得了重大進展。與英偉達和AMD等領先的人工智能硬件開發(fā)商的合作使其能夠生產(chǎn)高性能的人工智能芯片,促進自動駕駛等領域取得突破性進展。

表3展示了臺積電生產(chǎn)的人工智能芯片,包括新近宣布的AMD MI300芯片。

封裝業(yè)務收入

臺積電的CoWoS封裝技術允許將多個芯片或裸片集成到單個封裝中。這使得不同類型的芯片,如處理器、存儲器和顯卡可以組合到一個封裝中,從而提高性能、降低功耗和減小尺寸。

AMD、博通、Marvell和英偉達是臺積電CoWoS技術的最大客戶,而如果基于硅中間層的CoWoS供應無法滿足需求,采用扇出封裝技術的外包封裝測試服務商正在爭奪潛在的訂單。

例如,根據(jù)《DigiTimes》的報道,英偉達最近獲得了臺積電的承諾,將用CoWoS技術在2023年每月新增1.1萬片晶圓。而臺積電的CoWoS產(chǎn)能每月只有8000到9000片。

Nvidia和AMD利用了大約70%到80%的CoWoS產(chǎn)能,使其成為這項技術的主要用戶。緊隨其后,Broadcom成為第三大用戶,約占可用CoWoS晶圓加工能力的10%。剩余的產(chǎn)能分配給其他20家無晶圓廠芯片設計公司。

據(jù)臺積電表示,CoWoS擴展的兩個推動因素是客戶計劃長期產(chǎn)能以及需要CoWoS和3D堆疊的高性能計算和個人電腦CPU等應用領域的擴展。這將導致產(chǎn)能的擴張,目前臺積電正在對此進行評估。

2022年,臺積電的先進封裝業(yè)務占據(jù)了其總收入的7%。我預測,2023年該公司的先進封裝業(yè)務將創(chuàng)造54億美元的收入,并在2025年增長至91.1億美元,占總收入的7%-9%。

根據(jù)我們的報告《高密度封裝:市場分析與技術趨勢》,從2022年到2025年,相較于臺積電總收入增長率10.0%,CoWoS的收入將以19.7%的復合年增長率增長。

競爭如何呢?

重要的是:

N3P計劃于2024年下半年投入生產(chǎn),將進一步增強N3E的性能。與N3E相比,在相同漏電情況下,N3P速度提升了5%,相同速度下功耗降低了5-10%,芯片密度增加了1.04倍。

N3X優(yōu)先考慮高性能計算應用的性能和最大時鐘頻率。在1.2V的驅(qū)動電壓下,與N3P相比,N3X速度提升了5%,芯片密度與N3P相同,并將于2025年開始大規(guī)模生產(chǎn)。

N3AE,也稱為“Auto Early”,預計于2023年推出,基于N3E提供了用于汽車應用的工藝設計工具包,允許客戶在3 nm節(jié)點上推出用于汽車應用的設計,從而在2025年實現(xiàn)完全符合汽車行業(yè)標準的N3A工藝。

三星目前的3nm工藝的良率為60%至70%,略高于臺積電的55%。具體來說:

SF3工藝將采用三星的3nmGAP技術,并依賴于全環(huán)繞柵極晶體管,該技術被公司稱為MBCFETs。

SF4X是三星的第四代4納米工藝,相比三星的第二代4納米工藝SF4,性能提升10%,功耗效率提升23%。SF4X將與臺積電的N4P競爭。

三星計劃在2025年開始量產(chǎn)適用于移動應用的2 nm工藝,然后在2026年擴展到高性能計算領域,并在2027年進入汽車領域。

英特爾的目標是在四年內(nèi)實現(xiàn)五個工藝節(jié)點。Meteor Lake將基于英特爾的7 nm芯片生產(chǎn)節(jié)點,也被稱為Intel 4。Granite Rapids將在2023年下半年從Intel 4升級到Intel 3工藝。Arrow Lake將在2024年上半年使用Intel 20A工藝。在2024年下半年推出Intel 18A芯片。

Intel 4和3是英特爾首次部署EUV的工藝節(jié)點,代表著在晶體管每瓦特性能和密度方面邁出重要一步。而Intel 20A計劃在2024年上半年投入生產(chǎn),并且代表了一次重大的技術飛躍。它同時引入了一種新的晶體管架構——RibbonFET,以及PowerVia背面供電技術。

根據(jù)分析,臺積電未來的強勁增長也依賴于晶圓廠建設。重要的是,如果沒有ASML的EUV技術,晶圓廠能無法實現(xiàn)最小工藝節(jié)點。據(jù)估計,在2015年至2022年期間,臺積電從ASML購買了101套EUV光刻系統(tǒng),而三星購買了31套,英特爾購買了26套。

表5顯示了臺積電、三星和英特爾計劃中和潛在的晶圓廠建設情況。它們都將從美國的芯片法案或不同國家的芯片激勵計劃中獲益。

從多個指標來看,臺積電在技術領先方面有明顯的優(yōu)勢,并且在工藝節(jié)點遷移方面領先六個月。三星將通過采用先進的邏輯架構,包括3 nm的GAA和MBCFET,逐漸縮小技術差距。如果有足夠的產(chǎn)能可供使用,GAA功耗降低50%,整體性能提升35%,將成為客戶遷移至三星的推動力。但產(chǎn)能差距仍然存在。

然而,三星最近一直在失去客戶,這些客戶轉(zhuǎn)而選擇了臺積電。例如,英偉達選擇了三星的8 nm工藝節(jié)點用于RTX 30系列,但由于低產(chǎn)量的原因,英偉達最終放棄了三星,轉(zhuǎn)而選擇了臺積電的4nm工藝節(jié)點用于其高端RTX 40系列。

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