在今天的財(cái)報(bào)會(huì)議上，英特爾還公布了其芯片技術(shù)的最新進(jìn)展，并重申了他們之前的目標(biāo)，即在四年內(nèi)完成五代CPU技術(shù)，即Intel 7，Intel 4，Intel 3，Intel 20A和Intel 18A，其中Intel 7是第12代酷睿，現(xiàn)在是第13代酷睿，重點(diǎn)是剩下的四代。

英特爾4是英特爾的第一個(gè)EUV工藝，這一代將使用EUV掩模對(duì)準(zhǔn)器英特爾4制程的惠普高性能庫(kù)密度可達(dá)1.6億晶體管/mm2，是目前英特爾7制程的兩倍，高于TSMC 5nm制程的1.3億晶體管/mm2，接近TSMC 3nm制程的2.08億晶體管/mm2

與Intel 7工藝相比，在相同功耗下，4納米EUV工藝的頻率提高了21.5%，功耗降低了40%。

英特爾技術(shù)將在其第14代酷睿流星湖上推出首席執(zhí)行官基辛格今天證實(shí)，這項(xiàng)技術(shù)將于今年年底開(kāi)始生產(chǎn)第14代酷睿，處理器和OEM客戶(hù)的產(chǎn)品將于2023年上市

Intel 4之后是Intel 3工藝，是前者的改進(jìn)版EUV光刻機(jī)將繼續(xù)使用，Intel 3制程也將對(duì)外提供OEM服務(wù)

然后是20A和18A，相當(dāng)于友商的2nm和1.8nm所以這兩代技術(shù)是英特爾的大殺器，是前兩個(gè)突破性的技術(shù)，分別是RibbonFET和PowerVia

RibbonFET是英特爾實(shí)現(xiàn)的Gate All Around transistor，它將是該公司自2011年首次推出FinFET以來(lái)的第一個(gè)全新晶體管架構(gòu)。

該技術(shù)加快了晶體管的開(kāi)關(guān)速度，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了與多鰭片結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動(dòng)電流，但占用空間更小。

PowerVia是英特爾獨(dú)有的第一個(gè)背面電力傳輸網(wǎng)絡(luò)，它通過(guò)消除晶圓正面的電源和布線(xiàn)需求來(lái)優(yōu)化信號(hào)傳輸。

英特爾的20A工藝預(yù)計(jì)由自己的第15代酷睿Arrow Lake推出，將于2024年上半年量產(chǎn)。

18A是在20A的基礎(chǔ)上改進(jìn)的不同的是，這一代工藝還會(huì)對(duì)外提供OEM服務(wù)，所以比20A更受重視，進(jìn)步很快此前，英特爾也確認(rèn)18A工藝的量產(chǎn)時(shí)間將從2025年上半年提前至2024年下半年

至于18A工藝，英特爾首席執(zhí)行官基辛格表示，潛在客戶(hù)已經(jīng)在工廠做了流測(cè)試在之前9月底的創(chuàng)新大會(huì)上，英特爾提到18A的0.3版本已經(jīng)交付給客戶(hù)，現(xiàn)在進(jìn)展非常順利