比利時(shí)研究實(shí)驗(yàn)室IMEC研究出了半導(dǎo)體技術(shù)和芯片設(shè)計(jì)從1納米到2納米的路徑。

據(jù)eeNews報(bào)道，IMEC首席執(zhí)行官呂克·范登霍夫在未來(lái)大會(huì)上表示:我們相信摩爾定律不會(huì)終結(jié)，但需要多方共同貢獻(xiàn)。

他提到了幾代器件架構(gòu)，從FinFET器件到插件和原子通道器件，以及新材料和ASML高NA掩模對(duì)準(zhǔn)器的引入，這將需要很多年目前正在安裝的NA原型設(shè)備將于2024年投入商用我們相信光刻工具將會(huì)把摩爾定律擴(kuò)展到1納米以下

不過(guò)，它也表示，為了邁向更先進(jìn)的工藝，有必要開(kāi)發(fā)新的器件架構(gòu)，并促進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)單元的縮小在FinFET已經(jīng)成為10nm到3nm主流技術(shù)的基礎(chǔ)上，從2nm開(kāi)始，納米片組成的GAA架構(gòu)將是最有可能的概念

他提到了IMEC開(kāi)發(fā)的forksheet架構(gòu)這使得我們可以用阻擋材料更緊密地連接N和P溝道，這將是將柵極擴(kuò)展到1nm以上的一種選擇接下來(lái)可以把N和P通道放在一起，進(jìn)一步擴(kuò)大規(guī)模我們相信我們已經(jīng)開(kāi)發(fā)了這些架構(gòu)的第一個(gè)版本

使用鎢或鉬的新材料，有可能在2028年為1nm工藝制造相當(dāng)于幾個(gè)原子長(zhǎng)度的柵極，在2034年制造4個(gè)Amy 結(jié)構(gòu)，在2036年制造2個(gè)Amy 結(jié)構(gòu)。

同時(shí)，互聯(lián)性能也需要提高一個(gè)有趣的選擇是將功率傳輸移到晶片的背面這為前端互連留下了更大的設(shè)計(jì)靈活性這些都將導(dǎo)致未來(lái)15到20年的規(guī)模擴(kuò)張

未來(lái)，片上系統(tǒng)設(shè)備將使用TSV和微凸塊技術(shù)來(lái)集成芯片的3D堆疊，并使用不同的工藝芯片來(lái)完成不同的任務(wù)，從而需要在一個(gè)硅中介層上連接多個(gè)3D芯片。

我們一直在開(kāi)發(fā)所有這些技術(shù)，正如我們所說(shuō)的，這些技術(shù)正在逐漸被業(yè)界采用。