據(jù)臺灣省《經(jīng)濟日報》消息，三星電子22日否認了韓國媒體《東亞日報》關(guān)于推遲3納米芯片量產(chǎn)的報道此前《東亞日報》稱，由于良品率遠低于目標，三星3納米芯片的量產(chǎn)將會延遲

此外，韓國財經(jīng)媒體BusinessKorea報道稱，為了追趕TSMC，三星已經(jīng)加大了對3 nm環(huán)繞柵極技術(shù)的押注，希望在未來三年內(nèi)建立GAA技術(shù)的3 nm芯片工藝，并在2025年量產(chǎn)基于GAA工藝的2 nm芯片。

BusinessKorea還指出，據(jù)報道，三星在6月初引入了3 nm GAA工藝進行實驗性量產(chǎn)，成為第一家使用GAA技術(shù)的公司，希望該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)量子飛躍，縮短與TSMC的差距。

根據(jù)消息顯示，三星計劃在上半年將GAA技術(shù)應用于3 nm工藝后，明年將GAA技術(shù)引入第二代3 nm芯片TSMC的戰(zhàn)略是在今年下半年以穩(wěn)定的FinFET工藝進入3 nm半導體市場